单靶溅射法制备CIS薄膜

发布时间：2019-11-27 00:54

【摘要】：通过单靶一步溅射再退火的方法,在钠钙玻璃及镀钼玻璃衬底上制备了铜铟硒(CIS)薄膜。通过优化工艺参数,获得了结晶性良好的CIS薄膜,分析了溅射沉积薄膜时衬底温度及不同退火温度对薄膜结晶性的影响。研究发现,衬底温度为150℃时,退火获得的CIS薄膜结晶性最好;不同的退火温度对Mo衬底上的CIS薄膜结晶性影响不大。结果表明,靶材的致密度对CIS薄膜性能有较大的影响,说明一步法制备CIS薄膜对靶材有较高的质量要求。

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本文编号：2566379